DDR3 szerver memória konfigurációs segédlet

Figyelem, ez egy régi cikk!
Ha szeretne DDR4 ECC technológiáról olvasni, akkor kattinton:
memória konfigurálása és a teljesítmény növelése Intel Xeon Scalable processzorokon.
separator line

DDR3 memória konfigurációs segédlet


Támogatott memória típusok és sebesség diagram
12 DIMM slotos konfigurációkhoz (6 per CPU node)

DIMM típus

Registered (RDIMM)
Unbuffered ECC-vel (UDIMM)

DIMM rank

Dual Rank (2R)
Quad Rank (4R)
Single Rank (1R)
Dual Rank (2R)

DIMM kapacitás (GB)

2
4
8
8
2
4
16
1
2
1
2

DIMM natív sebessség (MHz)

1333
1333
1333
1067
*
1067
1067
1333
*
*
1333

Feltölthető slotok száma (max. 12)

12
12
12
12
*
12
12
12
*
*
12

Maximális kapacitás (GB)

35
48
96
96
*
48
192
12
*
*
24

Maximális sebesség (MHz) 1 Dimm Per Csatorna esetén (DPC)

1333
1333
1333
1067
*
1067
1067
1333
*
*
1333

Maximális sebesség (MHz) 2 Dimm Per Csatorna esetén (DPC)

1067
(1333)
1067
(1333)
1067
(1333)
1067
*
800
800
1067
(1333)
*
*
1067
(1333)

* - pillanatnyilag az Intel által nem támogatott

Általános szabályok a memória teljesítmény optimalizálására

  • Különféle sebességű DIMM-ek installálása megengedett, viszont minden DIMM a legkisebb sebességű DIMM sebességével fog működni - hacsak a lassabb DIMM nem a másik processzor mellé lett installálva
  • A csatornák feltöltése előtt a felhasznált csatornák számát kell maximalizálni
  • Kiegyensúlyozva kell szétosztani a DIMM-eket a csatornák és processzorok között - azonos számú és típusú DIMM célszerű minden csatornába
  • A csatornák hasonló feltöltése nem kötelező, de ajánlott
  • A csatornák feltöltése legyen egyenletesen emelkedő a kevésbé terhelt DIMM-ektől kezdve (single-rank) a jobban terhelt DIMM-ek irányába (quad-rank)
  • A jobban terhelt DIMM-ek (DIMM több rankkal) kerüljenek távolabb a processzortól (chipsettől)
  • Ne keverjük a single és dual DIMM-eket

ECC UDIMM kontra RDIMM

  • RDIMM nagyobb memória kapacitásoknál, 2DPC esetén kicsivel nagyobb teljesítményt ad
  • RDIMM támogatja a 3 DIMM per csatorna módot
  • UDIMM maximum a 2 DIMM per csatorna módot támogatja
  • RDIMM gazdaságosabb nagyobb memória kapacitások kiépítéséhez
  • UDIMM gazdaságosabb és gyorsabb kisebb memória kapacitások kiépítésénél

Memória rank megfontolások

A Rank definíciója: a memória rank a memória modul egy egyedi, 64/72 bit széles, függetlenül címezhető területe. Minden rank 64-bit széles kivéve azokon a modulokon, melyek támogatják az Error Correction Code-ot (ECC), ahol a 64-bit széles adat terület kiegészül egy 8-bit széles ECC területtel, így ezeknél 72-bites az adatszélesség. Attól függően, hogy a memória modult hogyan gyártották és milyen DRAM chipeket használtak a konstrukciónál, a memória modul lehet 1,2 vagy 4 rank-os, melyek jelölése Single (SR), Dual (DR) vagy Qud (QR). Az 55xx CPU sorozatú Intel rendszereknél legfeljebb 8 rank installálható csatornánként. A single-ranked memória modulok általában x4 DRAM chipekeből épülnek fel, a dual-rank memória modulok pedig általában x8 DRAM chipekből. Fontos megjegyezni, hogy a single rank DIMM vagy dual rank DIMM nem azonos a single-sided (egyoldalas), vagy double-sided (kétoldalas) DIMM-el.

  • Az x4 DRAM chipek használatával addicionális szolgáltatásokhoz jutunk, úgymint Single Device Data Correction (SDDC), Memory scrubbing, DIMM sparing, DIMM mirroring, stb. Az x8 DRAM-ok nem támogatják ezeket a szolgáltatásokat. A x4 DRAM chipekből felépített memória modulok rendszerint drágábbak, az x8-nál
  • A magasabb rank szám limitálja a DIMM per csatorna lehetőségeket és a sebességet
  • A QR DIMM-ek rendszerint olcsóbbak a hasonló kapacitású DR vagy SR DIMM-eknél mert kisebb sűrűségű, olcsóbb DRAM chipekből épülnek fel
  • A magasabb rank számú DIMM-ek jobb teljesítményt adhatnak, de ez alkalmazás függő, sok alkalmazásnál ez nem okoz előnyt
  • Általában, a több rank-os DIMM-ek kevesebbet fogyasztanak
  • QR installálásával limitáljuk a későbbi bővítési lehetőségeket a csatornánkénti DIMM-ek számát tekintve
  • Ha előre láthatóan később lesz memóriabővítés, már a vásárlásnál vegyük figyelembe a majdani összes DIMM rank számának alakulását.


Memória slot és feltöltési diagram
12 DIMM slotos konfigurációkhoz (6 per CPU node)

Memória csatorna

CPU1
CPU2

Memória csatorna

slot #

feltöltési sorrend

feltöltési sorrend

slot #

Channel 1

1

D

D

1

Channel 1

2

A

A

2

Channel 2

3

E

E

3

Channel 2

4

B

B

4

Channel 3

5

F

F

5

Channel 3

6

C

C

6

* hiányzik S5500HCVR-nél (9 DIMM Slot)


Memória teljesítmény növelése "interleaving"-el (váltott elérés)

Az interleaving (felváltva elérő) kifejezés a CPU azon folyamataira vonatkozik, amikor felváltva kommunikál két-, vagy több memória bankkal. Az interleaving technológiát tipikusan nagy rendszereknél alkalmazzák, mint a szerverek és munkaállomások. Nézzük hogyan is működik ez: valahányszor a CPU megcímez egy memória bankot, a banknak szüksége van egy óraciklusnyi időre, hogy reszetelje önmagát. A CPU feldolgozási időt spórol azzal, hogy amíg az első bank reszetelődik, megcímzi a második bankot. Az interleaving működhet önmagában egy memória chipben is a teljesítmény növelése érdekében. Az interleaving folyamatos adatfolyamot eredményez. Lecsökkenti a memóriaelérés ciklusidejét, gyorsabb lesz az adatátvitel.

A legjobb csatorna és rank interliving a csatornák és processzorok közötti kiegyensúlyozott DIMM feltöltéssel érhető el. "Ajánlott minták" (1-1-1, vagy 2-2-2, vagy 3-3-3) per CPU.

Nem ajánljuk a nem kiegyensúlyozott memória konfigurációt, mert ebben az esetben hol jó hol gyalázatos teljesítményt kapunk az alkalmazástól függően. Tegyük fel van 4GB memóriánk 1-1-2 nem kiegyensúlyozott DIMM konfigurációban. Az első 3GB egyenlően interlivelt a 3 csatornában. A maradék 1GB egyedül áll a 2 DDIMM-es csatornában. Amíg az alkalmazás legfeljebb 3GB-ot használ, egyenletes teljesítményt kapunk akár egy kiegyensúlyozott 1-1-1-es konfigurációnál. Amint viszont a 4. GB-ot is használjuk, egy egy csatornás konfigurációnak megfelelő teljesítményt kapunk. Ez rossz szituáció, mert a teljesítményben extrém nagy az ingadozás.

Memória megbízhatósági és rendelkezésre állási megoldások

Az ECC (Error Correcting Code) chip hiba korrekció, a Spare (tartalék) bank memória, a memória Mirroring (tükrözés) és Lockstep mode technológiákat a küldetéskritikus alkalmazásokat futtató rendszerek maximális üzemelési biztonságáért tervezték, bizonyos memóriahibák ellen védő óvintézkedésként. A memória hibákat jellemezzük soft (puha) és hard (kemény) hibaként. A soft hiba tranziens és alkalmi, a hard hiba állandó és a szilíciumban vagy a dinamikus RAM (DRAM) fémezésén található. A hibatípustól függetlenül, a hibás adatbitek száma határozza meg a rendszer viselkedését. A Single-bit (egy bites) hibák többnyire korrigálhatók az ECC memória rendszerrel. A Multibit (több bites) hiba végzetes lehet, ha a rendszer nem tud belőle visszaállni.

ECC memória. Az ECC memória, felismeri és korrigálni tudja az egy bites adat hibát és felismeri a két bites adat hibát – ismert elnevezéssel Single Error Correct/Double Error Detect (SEC/DED). Az ECC kiegészítő biteket használ (ECC bitek), hogy kiszámolja és eltárolja a paritás információkat az adat bitek mellett. Az MCH (Memory Controller Hub) felel ezen információk kiszámításáért. Amikor az adatok kiolvasásra kerülnek egy olvasási műveletnél, az MCH újra kiszámítja a paritást és összehasonlítja a tárolt paritással. Ha eltérés van, az MCH mechanizmusa felismeri a hibás bitet. A hibás bit átfordul „1”-ről ’0’-ra vagy ’0’-ról „1”-re, és visszaküldésre kerül a kiszolgálóhoz. A hibáról jelentés készül a rendszermenedzsment log-ban. Ha több bites hiba történt, a felismerés megtörténik és könyvelésre kerül, de nem javítható.

x4/x8 SDDC. Az Intel x4 vagy x8 Single Device Data Correction (SDDC) lehetővé teszi a rendszer számára, hogy menet közben kijavítsa egy egész DRAM chipnek hibáját úgy, hogy kiiktatja a DRAM chipet a memória térképről és adatait egy új eszközben állítja helyre.

Demand és patrol scrubbing. A technológiák a teljes rendszer memória előzetes átvizsgálásával javítják a javítható hibákat vagy véglegesen megjelölik a hibás memória területeket nem olvashatónak.

Sparing (tartalék) memória. A tartalék memória szolgáltatást az MCH és a rendszer BIOS valósítja meg, lehetővé téve az adminisztrátoroknak, hogy tartalék memória csatornát konfiguráljanak. Ha adott időszakon belül bizonyos számú javítható hiba történik egy csatorna egy DIMM-jében, a BIOS utasítani fogja az MCH-t, hogy másolja át az összes adatot a hibás csatornából a tartalék csatornába és átállítja a memória rendszert a tartalék csatornára. A másolást követően a hibás csatorna kikapcsolásra kerül. A szolgáltatás hátránya, hogy a tartalék memória nem érhető el a rendszer számára (tartalékban van). Cserébe a rendszer egy intelligens memória hibatűrő mechanizmussal rendelkezik, mely lehetővé teszi a helyreállítást nagy számú, folyamatos, javítható memória hiba esetén.

  • 2 csatorna működik függetlenül, a 3. csatorna a tartalék
  • Minden csatornát azonosan kell feltölteni
  • A tartalék csatorna nem használható a rendszer számára
  • A tartalékolás csatorna szintű, nem DIMM vagy rank szintű
  • Ebben a módban nem lehet tükrözés vagy lockstep módot is alkalmazni
  • Megnövelt biztonság egy csatornányi memória költségen

Memória mirroring (tükrözés). Mint a tartalék memóriánál, a memória tükrözést az MCH és a rendszer BIOS valósítja meg. Az adminisztrátorok konfigurálhatják a rendszert úgy, hogy tartson fenn egy tükrözött másolatot a memória adatairól, hasonlóan a RAID-1-hez a tároló technológiáknál. Egyik csatornában van az elsődleges másolat, a másikban a másodlagos. Amikor adat íródik a memóriába, azok mind a két csatornába beíródnak. Olvasásnál viszont csak az elsődlegesből történik az kiolvasás. Ha egy helyreállíthatatlan hibát ismer fel a rendszer az olvasási folyamatnál, a BIOS átkapcsolja az elsődleges és másodlagos csatornákat. Ezt követően a rendszer az új elsődleges csatornából olvas. A szolgáltatás hátránya, hogy az installált memória fele nem érhető el a rendszer számára. Cserébe a rendszer védelmet kap a helyreállíthatatlan memória hiba ellen, mely egyébként váratlan rendszer leállást és adatvesztést okozna.

  • 2 memória csatorna működik egymás tükörképeként (azonos tartalom szimultán íródik mindkét csatornába)
  • Mindkét csatornát azonosan kell feltölteni
  • Az feltöltött memóriák egyik fele használható a rendszer számára
  • Megnövelt biztonság (redundancia) egy csatornányi memória költségen

Lockstep mód. A Lockstep memória mód két memória csatornát használ egy időben és a védelem igen magas szintjét nyújtja. Lockstep módban két memória csatorna egy csatornaként működik - minden írás és olvasás utasítás az adatokat két csatorna szélesen mozgatja. A cahe sor fel van osztva mindkét csatorna között, ezzel 2x 8-bit hiba felismerést és 8-bit hiba javítást tesz lehetővé egy DRAM-on belül. Három csatornás memória rendszernél a harmadik csatorna nincs használva, nem kell feltölteni. A Lockstep memória mód a legnagyobb biztonságot adja, viszont a teljes lehetséges memória egyharmada érhető el csak a rendszer számára.

  • 2 csatorna működik lockstep módban (a cache sor fel van osztva mindkét csatorna között), a 3. csatorna nem használható
  • Mindkét csatornát azonosan kell feltölteni
  • Ebben a módban nem lehet tükrözés vagy tartalék módot is alkalmazni
  • Megnövelt biztonság viszont kisebb teljesítmény

Memória RAS konfigurációk
 
Független csatorna mód
Tartalék csatorna mód
Tükrözött csatorna mód
Lockstep csatorna mód
x4 SDDC
Patrol Scrubbing
Demand Scrubbing
Igen
Igen
Igen
Igen
Sparing (tartalék)
Nem
Igen
Nem
Nem
Mirroring (tükrözés)
Nem
Nem
Igen
Nem
Lockstep
Nem
Nem
Nem
Igen
x8 SDDC
Nem
Nem
Nem
Igen
csatornák száma
3
2 + tartalék
2
2
Azonosan kell feltölteni?
Nem
Igen
Igen
Igen

Minősítéseink

Online látogatók

Oldalainkat 107 vendég és 0 tag böngészi